单项选择题
A.控制烧结速率B.控制粒晶C.加适当的添加剂D.改变温度
二次再结晶的推动力是（）A.大晶粒界面与邻近低表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能B.大晶粒界面与邻近高...
单项选择题二次再结晶的推动力是（）
A.大晶粒界面与邻近低表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能B.大晶粒界面与邻近高表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能C.大晶粒界面与邻近低表面能和大曲率半径的晶面相比有效高的表面能D.大晶粒界面与邻近高表面能和小曲率半径的晶面相比有效高的表面能
晶粒生长与二次再结晶过程不会在烧结的哪个过程进行？（）A.初期B.中期C.后期
单项选择题晶粒生长与二次再结晶过程不会在烧结的哪个过程进行？（）
A.初期 B.中期 C.后期
二次再结晶是指（）A.少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程B.多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程C.晶粒...
单项选择题二次再结晶是指（）
A.少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程 B.多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程 C.晶粒不断成核长大的过程 D.少数大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
