单项选择题
A.MOS电容是固定电容B.MOS电容就是MOS栅氧化层电容C.MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的D.随着栅电压增加，MOS电容会减小
已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半...
单项选择题已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则（）
A.该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构B.该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构C.该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构D.该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构
一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中，（）A.其栅氧化层厚度越小，阈值电压越大B.其衬底掺杂浓度越高，阈值电...
单项选择题一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中，（）
A.其栅氧化层厚度越小，阈值电压越大B.其衬底掺杂浓度越高，阈值电压越大C.其阈值电压必定是负的D.其衬底费米势肯定是负的
一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，（）A.其阈值电压应该是正的B.强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的...
单项选择题一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，（）
A.其阈值电压应该是正的B.强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的C.积累状态时所加的栅电压应该是负的D.其费米势应该是负的
