多项选择题

MOSFET的饱和区漏极电流I_D随V_DS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）

A.基区宽度调变效应
B.阈电压的短沟道效应
C.漏区静电场对沟道的反馈
D.有效沟道调制效应

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A.A
B.B
C.C
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