根据能带结构的特点，可以将半导体分为直接带隙和（）半导体。

（）是将杂质离子通过电场加速、磁场选择注入到半导体晶片以调控半导体电学性质的掺杂手段。

填空题（）是将杂质离子通过电场加速、磁场选择注入到半导体晶片以调控半导体电学性质的掺杂手段。

若半导体中同时存在施主和受主掺杂，且施主掺杂浓度近似等于受主掺杂浓度，则该半导体称为（）半导体。

填空题若半导体中同时存在施主和受主掺杂，且施主掺杂浓度近似等于受主掺杂浓度，则该半导体称为（）半导体。

利用（）模型，可以对浅能级杂质的电离能进行估算。

填空题利用（）模型，可以对浅能级杂质的电离能进行估算。