问答题

简答题 MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外,还与哪些因素有关?

【参考答案】

源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率