判断题
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GTR可以工作在二次击穿区,作为稳压使用。
判断题GTR可以工作在二次击穿区,作为稳压使用。
温度过低会导致IGBT发生擎住效应。
判断题温度过低会导致IGBT发生擎住效应。
将MOSFET接入电路中,测量一起和工作台可以不接地。
判断题将MOSFET接入电路中,测量一起和工作台可以不接地。