半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动，随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。

EF-EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。

判断题EF-EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。

化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而变窄，如GaN＞GaP。

判断题化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而变窄，如GaN＞GaP。

金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体，金属原子过剩时形成p型半导体。

判断题金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体，金属原子过剩时形成p型半导体。