问答题
锗的少子浓度高。由电阻率=1/nqu和（ni）2=n0p0以及硅和锗本征载流子浓度的数量级差别，可以算出锗的少子浓度高。
一块本征半导体样品，试描述用以增加其电导率的两个物理过程。
问答题一块本征半导体样品，试描述用以增加其电导率的两个物理过程。
几种散射机制同时存在，总的散射几率？
问答题几种散射机制同时存在，总的散射几率？
平均自由程，平均自由时间，散射几率？
问答题平均自由程，平均自由时间，散射几率？
