NMOS源漏城需进行N+型掺杂。

NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。

判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。

PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。

判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。

集成电路制造需要在告别净化环境下进行，通常净化室内气压应高于净化室外气压。

判断题集成电路制造需要在告别净化环境下进行，通常净化室内气压应高于净化室外气压。