单项选择题
A、1—1.5KHz B、1.5--2KHz C、大于2KHz D、以上都对
霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生()的物理现象。A、横向电位差B、纵向电位差C、横...
单项选择题霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生()的物理现象。
A、横向电位差 B、纵向电位差 C、横向电流 D、纵向电流
电感是储能元件,带有电感的电路中,电路由一个稳态达到另一个稳态,要经历一个瞬变的过程,在瞬变过程初期,电压突变...
单项选择题电感是储能元件,带有电感的电路中,电路由一个稳态达到另一个稳态,要经历一个瞬变的过程,在瞬变过程初期,电压突变,电感内的直流电流()。
A、发生突变 B、不能突变 C、保持不变 D、以上都不对
IGBT栅极极限电压通常为±20V,正常使用电压通常为±()V,可驱动电压通常为5V左右。A、10B、12C、...
单项选择题IGBT栅极极限电压通常为±20V,正常使用电压通常为±()V,可驱动电压通常为5V左右。
A、10 B、12 C、15 D、18