单项选择题
A.复合离子B.带电质子C.游离分子D.运动电子
一般所说的电子崩,往往是指电子崩区域,电子崩头的电荷密度远远大于崩的中部和崩的尾部,且()集中在崩头。A.正电...
单项选择题一般所说的电子崩,往往是指电子崩区域,电子崩头的电荷密度远远大于崩的中部和崩的尾部,且()集中在崩头。
A.正电荷B.分子流C.负电荷D.离子流
试验表明,击穿通道是局限在狭窄的()形通道中,且有分支,说明放电过程与局部条件有关,有偶然因素。A.管状B.曲...
单项选择题试验表明,击穿通道是局限在狭窄的()形通道中,且有分支,说明放电过程与局部条件有关,有偶然因素。
A.管状B.曲折C.圆柱D.圆锥
当外加()很高,达到间隙的击穿场强时,电子崩的发展形成流注,实现击穿。A.电压B.电场C.磁场D.能量
单项选择题当外加()很高,达到间隙的击穿场强时,电子崩的发展形成流注,实现击穿。
A.电压B.电场C.磁场D.能量