单项选择题
A. 比半导体的大 B. 比半导体的小 C. 与半导体的相等 D. 不确定
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是...
单项选择题杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。
A.变大，变小 B.变小，变大 C.变小，变小 D.变大，变大
硅导带结构为（）。A. 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面B. 一半位于第一布里渊区内沿<11...
单项选择题硅导带结构为（）。
A. 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面 B. 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面 C. 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面 D. 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。A.漂移运动B.扩散运动C.热运动D.共有化运动
单项选择题半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。
A.漂移运动B.扩散运动C.热运动D.共有化运动
