单项选择题
A.anneal，ion implantation，RTAB.diffusion，anneal，RTAC.ion implantation，anneal，RTAD.ion implantation，anneal，CVD
（）是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体材料中，改变材料电学性质，达到形成半导体器件的目的。A.光刻B.掺杂C...
单项选择题（）是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体材料中，改变材料电学性质，达到形成半导体器件的目的。
A.光刻B.掺杂C.刻蚀D.金属化
蒸发和溅射对应的英文是（）A.sputtering-evaporationB.evaporation-sput...
单项选择题蒸发和溅射对应的英文是（）
A.sputtering-evaporationB.evaporation-sputteringC.oxidation-epitaxyD.epitaxy-sputtering
蒸镀的过程为（）A.蒸发—气相质量输运—淀积成膜B.离化—气相质量输运—淀积成膜C.蒸发—离化—淀积成膜D.离...
单项选择题蒸镀的过程为（）
A.蒸发—气相质量输运—淀积成膜B.离化—气相质量输运—淀积成膜C.蒸发—离化—淀积成膜D.离化—挥发—淀积成膜
