测量半导体硅单晶导电类型时，通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。

当半导体内注入了非平衡载流子后，一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心，另一方面依靠表面能级作为复合中心。

判断题当半导体内注入了非平衡载流子后，一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心，另一方面依靠表面能级作为复合中心。

被腐蚀的半导体电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，正级被腐蚀溶解。

判断题被腐蚀的半导体电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，正级被腐蚀溶解。

半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行观察和计数。

判断题半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行观察和计数。