填空题
火焰燃烧法;降低温度;增强反应速率
等离子增强反应沉积中,由于等离子体中()、()和()相互碰撞,可以大大降低沉积温度,例如硅烷和氨气的反应在通常...
填空题等离子增强反应沉积中,由于等离子体中()、()和()相互碰撞,可以大大降低沉积温度,例如硅烷和氨气的反应在通常条件下,约在850℃左右反应并沉积氮化硅,但在等离子体增强反应的条件下,只需在350℃左右就可以生成氮化硅。
在MOCVD过程中,金属有机源可以在()或()作用下,在较低温度沉积出相应的各种无机材料。
填空题在MOCVD过程中,金属有机源可以在()或()作用下,在较低温度沉积出相应的各种无机材料。
电解槽中的离子导体除常见的电解质溶液外,尚有()、()或超临界流体等。
填空题电解槽中的离子导体除常见的电解质溶液外,尚有()、()或超临界流体等。