单项选择题
A.势垒区宽度远小于电子的平均自由程B.势垒区宽度等于电子的平均自由程C.势垒区宽度远大于电子的平均自由程D.不确定
隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随（）。A.反偏电压绝对值的增加而减小B.正偏电压的增加而增大C.反偏电压绝...
单项选择题隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随（）。
A.反偏电压绝对值的增加而减小B.正偏电压的增加而增大C.反偏电压绝对值的增加而增大D.正偏电压的增加而减小
N型半导体形成的肖特基势垒二极管，其正向电流是（）。A.半导体的少子流向金属形成，方向从金属指向半导体B.半...
单项选择题N型半导体形成的肖特基势垒二极管，其正向电流是（）。
A.半导体的少子流向金属形成，方向从金属指向半导体B.半导体的多子流向金属形成，方向从半导体指向金属C.半导体的少子流向金属形成，方向从半导体指向金属D.半导体的多子流向金属形成，方向从金属指向半导体
金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，空间电荷区宽度将（）A.减小B.不变C.不...
单项选择题金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，空间电荷区宽度将（）
A.减小B.不变C.不能确定D.增加
