单项选择题

已知PN结中，P区杂质7X10¹⁵cm^-3，N区杂质5X10¹⁶cm^-3，则在5V的反向电压作用下：（）

A.势垒区主要向N区一侧扩展
B.势垒区宽度相对于平衡PN结变小
C.P区一侧的势垒区中的电荷量更大
D.N区一侧势垒区宽度比P区一侧势垒区宽度小

相关考题

关于平衡PN结的说法，以下正确的是（）A.平衡PN结中不存在扩散和漂移电流B.平衡PN结中P区和N区的费米能级...

单项选择题关于平衡PN结的说法，以下正确的是（）

A.平衡PN结中不存在扩散和漂移电流
B.平衡PN结中P区和N区的费米能级应该是统一的
C.平衡PN结中自建电场的方向是从P区指向N区
D.平衡PN结的空间电荷区中的载流子浓度和P区，N区中的多子浓度基本一致

np0的含义是（），若已知PN结中N区掺杂为1017cm-3，P区掺杂为1015cm-3，且ni=1010cm...

单项选择题

np0的含义是（），若已知PN结中N区掺杂为10¹⁷cm^-3，P区掺杂为10¹⁵cm^-3，且ni=10¹⁰cm^-3，则np0=（）

A.平衡时P区中的电子浓度；10¹⁵cm^-3
B.平衡时N区中的空穴浓度；10¹⁷cm^-3
C.平衡时P区中的电子浓度；10⁵cm^-3
D.平衡时N区中的空穴浓度；10³cm^-3

平衡PN结形成的过程中（）A.P区电子向N区扩散B.会形成从P区指向N区的自建电场C.电子是在自建电场作用下向...

单项选择题平衡PN结形成的过程中（）

A.P区电子向N区扩散
B.会形成从P区指向N区的自建电场
C.电子是在自建电场作用下向N区漂移
D.P区侧存在正空间电荷

半导体物理