单项选择题
A.10kHz~100kHz； B.3MHz~30MHz； C.100kHz~10MHz； D.1GHz~10GHz。
对于带末屏引下线的TA进行局部放电检测，可优先选用（）检测方法。A.特高频；B.超声波；C.高频；D.地电波。
单项选择题对于带末屏引下线的TA进行局部放电检测，可优先选用（）检测方法。
A.特高频； B.超声波； C.高频； D.地电波。
如果应用GIS特高频局部放电方法测得的图谱如下图所示，其放电源类型应为（）。A.金属微粒；B.绝缘内部气隙；C...
如果应用GIS特高频局部放电方法测得的图谱如下图所示，其放电源类型应为（）。
A.金属微粒； B.绝缘内部气隙； C.电晕； D.悬浮电位。
如果局部放电检测方法测得的图谱如下图所示，其放电源类型应为（）。 A.悬浮电位放电；B.绝缘内部气隙；C.电晕...
如果局部放电检测方法测得的图谱如下图所示，其放电源类型应为（）。
A.悬浮电位放电； B.绝缘内部气隙； C.电晕； D.金属微粒。
