单项选择题
A.p+多晶硅栅具有较大功函数B.p+多晶硅栅具有更低电阻率C.p+多晶硅栅可以做成埋沟器件D.p+多晶硅栅适合自对准工艺
以下（）描述对于正常放大工作的NPN晶体管是正确的。A.ic>incB.ine< ipeC.inc>ineD....
单项选择题以下（）描述对于正常放大工作的NPN晶体管是正确的。
A.ic>incB.ine< ipeC.inc>ineD.ib=ipe+icbo
双极型晶体管硅管和锗管中，发射结势垒区复合电流对发射效率的影响，下列说法中正确的是（）。A.该复合电流影响对两...
单项选择题双极型晶体管硅管和锗管中，发射结势垒区复合电流对发射效率的影响，下列说法中正确的是（）。
A.该复合电流影响对两种管子影响大小无法确定B.该复合电流影响对硅管大，对锗管小C.该复合电流影响对两种管子同样大D.该复合电流影响对锗管大，对硅管小
N+/p结中，反偏情况下占据主导的电流是（）。A.空穴电流B.无法确定C.电子电流和空穴电流一样大D.电子电流
单项选择题N+/p结中，反偏情况下占据主导的电流是（）。
A.空穴电流B.无法确定C.电子电流和空穴电流一样大D.电子电流
