为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用（）耦合方式。

场效应管放大电路如图所示，其中Rg1=300Wk，Rg2=120Wk，Rg3=10WM，Rs=Rd=10kΩ，...

问答题

场效应管放大电路如图所示，其中R_g1=300Wk，R_g2=120Wk，R_g3=10WM，R_s=R_d=10kΩ，C_S的容量足够大，V_DD＝16V，设FET的饱和电流I_DSS=1mA，夹断电压U_p=U_GS（off）（off） = －2V，求静态工作点，然后用中频微变等效电路法求电路的电压放大倍数。若C_S开路再求电压放大倍数。

电路如图所示，已知Rd=10kΩ，Rs=R=0.5kΩ，Rg1=165 kΩ，Rg2=35kΩ，UGS（th=...

问答题

电路如图所示，已知R_d=10kΩ，R_s=R=0.5kΩ，R_g1=165 kΩ，R_g2=35kΩ，U_GS（th=1V，I_DO =1mA，电路静态工作点处U_GS=1.5V。试求共源极电路的小信号电压增益A_u=u_o/u_i和源电压增益A_us=u_o/u_s。

电路如图所示，设MOS管的参数为UGS（th）=1V，IDO =500uA。电路参数为VDD=5V，－VSS=...

问答题

电路如图所示，设MOS管的参数为U_GS（th）=1V，I_DO =500uA。电路参数为V_DD=5V，－V_SS=－5V，R_d=10kΩ，R=0.5kΩ，I_DQ=0.5mA。若流过R_g1、R_g2的电流是I_DQ的1/10，试确定R_g1和R_g2的值。