单项选择题
高温本征激发区,单一掺杂的n型半导体,其电中性条件可以简化为()。
A.AB.BC.CD.D
对于单一掺杂的n型半导体,其一般的电中性条件是()。A.AB.BC.CD.D
对于单一掺杂的n型半导体,其一般的电中性条件是()。
电子占据杂质能级不可能发生的的情况是()。A.2个电子同时占据1个杂质能级B.1个自旋向上的电子占据1个杂质能...
单项选择题电子占据杂质能级不可能发生的的情况是()。
A.2个电子同时占据1个杂质能级B.1个自旋向上的电子占据1个杂质能级C.1个自旋向下的电子占据1个杂质能级D.杂质能级空着
本征半导体的载流子来源于()。A.杂质电离B.施主电离C.受主电离D.本征激发
单项选择题本征半导体的载流子来源于()。
A.杂质电离B.施主电离C.受主电离D.本征激发