湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO₂常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si₃N₄常用的腐蚀剂是（）。

控制湿法腐蚀的主要参数有（）、（）、（）、（）等。

填空题控制湿法腐蚀的主要参数有（）、（）、（）、（）等。

光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。

填空题光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。

常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。

填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。