问答题
1）第一次光刻有源岛；2）第二次光刻栅极；3）第三次光刻n-区和n
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简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
问答题简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
简述有机薄膜晶体管的特点。
问答题简述有机薄膜晶体管的特点。
简述提高IGZO TFT性能的方法。
问答题简述提高IGZO TFT性能的方法。
