元器件引线在成型过程中，弯曲半径应大于（）的引线直径。

如钽电容引线有熔接点，弯曲点不允许在熔接点和元器件之间，熔接点到弯曲点之间应保留（）距离合适。A.1mmB.2...

单项选择题如钽电容引线有熔接点，弯曲点不允许在熔接点和元器件之间，熔接点到弯曲点之间应保留（）距离合适。

元器件引线经过弯曲成形，表面镀层剥落不应大于引线直径的（）。A.1/10B.1/5C.1/3D.1/2

单项选择题元器件引线经过弯曲成形，表面镀层剥落不应大于引线直径的（）。

搪锡高度距元器件引线根部大约是（）。A.1mmB.2mmC.3mmD.4mm

单项选择题搪锡高度距元器件引线根部大约是（）。