填空题
高阻
数据存储器SRAM存取时间ta=14ns时,SWWSR的11~6位应为()。
填空题数据存储器SRAM存取时间ta=14ns时,SWWSR的11~6位应为()。
进行并行I/O读一写一读操作时,写I/O占用()个CLKOUT周期。
填空题进行并行I/O读一写一读操作时,写I/O占用()个CLKOUT周期。
设计一个长度为7的接收缓冲区时,BKR中的值应为()。
填空题设计一个长度为7的接收缓冲区时,BKR中的值应为()。