单项选择题
A.不含杂质和缺陷B.电阻率最高C.电子密度和空穴密度相等D.电子密度与本征载流子密度相等
以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（）A.SiB.GeC.GaAsD.GaN
单项选择题以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（）
A.Si B.Ge C.GaAs D.GaN
当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。A.1/n0B.1/△nC.1...
单项选择题当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。
A.1/n0B.1/△nC.1/p0D.1/△p
有效复合中心的能级必靠近（）A.禁带中部B.导带C.价带D.费米能级
单项选择题有效复合中心的能级必靠近（）
A.禁带中部B.导带C.价带D.费米能级
