单项选择题
A.电子； B.空穴； C.钠离子； D.硅离子。
在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，...
单项选择题在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为（）。
A.少数载流子反型状态，多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态B.多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态，少数载流子反型状态C.多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态，少数载流子反型状态D.少数载流子反型状态，多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态
对大注入下的直接复合，非子寿命与平衡载流子浓度（）A.无关；B.成正比；C.成反比；D.的平方成反比
单项选择题对大注入下的直接复合，非子寿命与平衡载流子浓度（）
A.无关； B.成正比； C.成反比； D.的平方成反比
以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的（）A、平方成正比；B、3/2次方成反比；C、平方成反比；...
单项选择题以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的（）
A、平方成正比； B、3/2次方成反比； C、平方成反比； D、1/2次方成正比；
