单项选择题
A.35; B.100; C.102; D.237。
侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
判断题侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。
判断题离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。
热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减...
判断题热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。