多项选择题
A.少子的复合需要时间B.中性区有多子电荷存储C.反向电流的抽取需要时间D.中性区有少子电荷存储
PN结的击穿种类有（）。A.齐纳击穿B.雪崩击穿C.隧道击穿D.热击穿
多项选择题PN结的击穿种类有（）。
A.齐纳击穿B.雪崩击穿C.隧道击穿D.热击穿
正向偏置的PN结，在靠近耗尽层边界的中性区内的少子具有（）特点。A.产生空穴-电子对B.浓度低于平衡态少子浓...
多项选择题正向偏置的PN结，在靠近耗尽层边界的中性区内的少子具有（）特点。
A.产生空穴-电子对B.浓度低于平衡态少子浓度C.浓度高于平衡态少子浓度D.一边扩散一边复合
PN结中有很多参数或性能都由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的，下面（）就是这样的。A.势垒电容B.空间电荷区宽度C...
多项选择题PN结中有很多参数或性能都由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的，下面（）就是这样的。
A.势垒电容B.空间电荷区宽度C.反向饱和电流D.反向恢复过程
