计算题 硅中受主杂质浓度为10¹⁷cm^-3，计算在300K下的载流子浓度n₀和p₀。

在300K下硅中电子浓度n0=2×103cm-3，计算硅中空穴浓度p0。判断该半导体是n型还是p型半导体。

问答题在300K下硅中电子浓度n₀=2×10³cm^-3，计算硅中空穴浓度p₀。判断该半导体是n型还是p型半导体。

假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同，材料1的禁带宽度为1.1eV，材料2的禁带宽度为3.0eV，计算两...

问答题假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同，材料1的禁带宽度为1.1eV，材料2的禁带宽度为3.0eV，计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值，哪一种半导体材料更适合制作高温环境下工作的器件？

简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点。

问答题简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点。