单项选择题
A.12B.24C.18D.20
集成电路的英文简称为()A、LCCB、ICC、MCUD、MC
单项选择题集成电路的英文简称为()
A、LCCB、ICC、MCUD、MC
金属钨的CVD方法中要用到的气体源是()。A.SiH4B.WF6C.金属钨D.SiF4
单项选择题金属钨的CVD方法中要用到的气体源是()。
A.SiH4B.WF6C.金属钨D.SiF4
金属有机化合物化学气相沉淀的缩写为()。A、LPCVDB、MOCVDC、ICPCVDD、APCVD
单项选择题金属有机化合物化学气相沉淀的缩写为()。
A、LPCVDB、MOCVDC、ICPCVDD、APCVD