单项选择题
A.沟道区同时存在产生电流和复合电流，但可相互抵消B.沟道区既不存在产生电流，也不存在复合电流C.沟道区存在复合电流D.沟道区存在产生电流
（）不利于增加增强型NMOSFET的阈值电压。A.Wm< WsB.向沟道区掺入BC.衬源间施加负偏压D.增加S...
单项选择题（）不利于增加增强型NMOSFET的阈值电压。
A.Wm< WsB.向沟道区掺入BC.衬源间施加负偏压D.增加SiO2层的厚度
理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。A.半...
单项选择题理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。
A.半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化B.半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化C.半导体发生了深耗尽D.半导体表面附近的电子不能产生
降低基区掺杂浓度，（）。A.不利于抑制发射极电流集边效应，有利于抑制Early效应B.有利于抑制发射极电流集边...
单项选择题降低基区掺杂浓度，（）。
A.不利于抑制发射极电流集边效应，有利于抑制Early效应B.有利于抑制发射极电流集边效应和Early效应C.不利于抑制发射极电流集边效应和Early效应D.有利于抑制发射极电流集边效应，不利于抑制Early效应
