单项选择题
A.JFET B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管 D.NMOS管
（）具有不同的低频小信号电路模型。A.NPN型管和PNP型管B.增强型场效应管和耗尽型场效应管C.N沟道场效应...
单项选择题（）具有不同的低频小信号电路模型。
A.NPN型管和PNP型管 B.增强型场效应管和耗尽型场效应管 C.N沟道场效应管和P沟道场效应管 D.晶体管和场效应管
输入（）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。A.正弦小信号B.低频大信号C.低频小信号D.高...
单项选择题输入（）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A.正弦小信号 B.低频大信号 C.低频小信号 D.高频小信号
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A.NPN型低频小功率硅晶体管B.NPN型高频小功率硅晶...
单项选择题根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。
A.NPN型低频小功率硅晶体管 B.NPN型高频小功率硅晶体管 C.PNP型低频小功率锗晶体管 D.NPN型低频大功率硅晶体管
