计算题 利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知C_ox＝5×10^-4pF/μm²，估算栅极电容。

集成电容主要有几种结构？

问答题集成电容主要有几种结构？

什么是无源电阻？什么是有源电阻？举例说明。

问答题什么是无源电阻？什么是有源电阻？举例说明。

试用电导率为102/（Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设电阻宽1μm，求其长。

问答题试用电导率为10²/（Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设电阻宽1μm，求其长。