问答题
低k材料用于层间介质，因为低k介质减小电容，从而减小RC信号延迟，提高器件工作频率。高k介质用在替代栅氧化层，提高栅氧厚......
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什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
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解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？
问答题解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？
在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？
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