ICP-OES的物理干扰一般由样品的黏滞程度及表面张力变化而致。

在ICP-OES分析中，应在最佳测量条件下，对每个被测元素选择2~3条谱线进行测定，分析比较每条谱线的强度、谱...

判断题在ICP-OES分析中，应在最佳测量条件下，对每个被测元素选择2~3条谱线进行测定，分析比较每条谱线的强度、谱图及干扰情况，在此基础上选择各元素的最佳分析谱线。

在ICP-OES分析中，由于等离子体的焰炬温度很高，内焰区约6000~8000K，样品分子几乎完全离解，大大降...

判断题在ICP-OES分析中，由于等离子体的焰炬温度很高，内焰区约6000~8000K，样品分子几乎完全离解，大大降低了化学干扰。

在ICP-OES分析中，如果雾化器和雾室是玻璃的，则应注意样品在制备时应避免使用氢氟酸，或将其赶尽后再上机分析...

判断题在ICP-OES分析中，如果雾化器和雾室是玻璃的，则应注意样品在制备时应避免使用氢氟酸，或将其赶尽后再上机分析，避免腐蚀性影响。