已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值，那么各状态下器件的工作状态为（）。

‌已知某NMOS器件的Vt=1V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA=50V，且工作点电流ID=0.5mA，...

单项选择题‌已知某NMOS器件的V_t=1V，k′_n（W/L）=1mA/V²，V_A=50V，且工作点电流I_D=0.5mA，则其小信号模型参数g_m=（）mA/V，r_o=（）kΩ。

电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0....

单项选择题

电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有I_D=0.4mA，V_D=0.5V；已知该NMOS晶体管的V_t=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′_n=100μA/V²，忽略沟道长度调制效应，则电阻R_S=（）kΩ，R_D=（）kΩ。

‌在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。A.最高，...

单项选择题‌在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。