P5000设备气态源制备SIN工艺中参与反应的气体是（）

溅射台使用的AlSi靶材中，Si的含量是（）A.0.5%B.1%C.0.05%D.0.1%

单项选择题溅射台使用的AlSi靶材中，Si的含量是（）

P5000机台属于哪种类型的CVD工艺（）A.APCVDB.LPCVDC.PCVDD.PECVD

单项选择题P5000机台属于哪种类型的CVD工艺（）

溅射过程中通过将哪种气体轰击靶材（）A.He气B.N2气C.Ar气D.O2气

单项选择题溅射过程中通过将哪种气体轰击靶材（）