判断题
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当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。
判断题当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。
一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。
判断题一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。
从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。
判断题从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。
