单项选择题
A.行地址控制器延迟时间，简称CL B.列动态时间，也称tRAS C.列地址控制器预充电时间，简称tRP
关于RAS#Precharge描述正确的是（）A.列地址至行地址的延迟时间，简称RCDB.行地址控制器延迟时间...
单项选择题关于RAS#Precharge描述正确的是（）
A.列地址至行地址的延迟时间，简称RCD B.行地址控制器延迟时间 C.列动态时间，也称tRAS，表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟 D.列地址控制器预充电时间，简称tRP
关于RAS#toCAS#的描述正确的是（）A.列地址至行地址的延迟时间，简称RCDB.内存位宽的英文缩写C.C...
单项选择题关于RAS#toCAS#的描述正确的是（）
A.列地址至行地址的延迟时间，简称RCD B.内存位宽的英文缩写 C.CPU二级缓存的英文缩写 D.行地址控制器延迟时间
关于CAS#Latenry的描述正确的是（）A.CPU的主频B.行地址控制器延迟时间C.硬盘的转速D.CPU二...
单项选择题关于CAS#Latenry的描述正确的是（）
A.CPU的主频 B.行地址控制器延迟时间 C.硬盘的转速 D.CPU二级缓存
