单项选择题
A.正菱形12面体B.球体C.截角8面体D.立方体
衬源短接的增强型NMOSFET，VDS>0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在（）。A.漏区B.沟道区靠近漏区...
单项选择题衬源短接的增强型NMOSFET，VDS>0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在（）。
A.漏区B.沟道区靠近漏区一侧C.沟道区靠近源区一侧D.源区
在MOS缩微中，下列参数（）最易按缩微因子成比例改变。A.IONB.阈值电压C.漏结扩散势D.IOFF
单项选择题在MOS缩微中，下列参数（）最易按缩微因子成比例改变。
A.IONB.阈值电压C.漏结扩散势D.IOFF
在恒定电压缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则功耗密度为原器件的（）倍。A.k3B....
单项选择题在恒定电压缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则功耗密度为原器件的（）倍。
A.k3B.1C.k2D.k
