计算题 在T=25℃时，测得某晶体管的I_C=4mA，I_B=45μA，I_CBO=1μA。若晶体管β的温度系数为1%/℃，在T=45℃时，测得I_B=60μA，这时I_C=？

电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析uI为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及...

问答题

电路如图所示，晶体管导通时U_BE＝0.7V，β=50。试分析u_I为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压u_O的值。

电路如图所示，晶体管的β＝100，UBE＝0.7V，饱和管压降UCES＝0.4V；稳压管的稳定电压UZ＝4V，...

问答题

电路如图所示，晶体管的β＝100，U_BE＝0.7V，饱和管压降U_CES＝0.4V；稳压管的稳定电压U_Z＝4V，正向导通电压U_D＝0.7V，稳定电流I_Z＝5mA，最大稳定电流I_ZM＝25mA。试问：
（1）当u_I为0V、1.5V、25V时u_O各为多少？
（2）若R_c短路，将产生什么现象？

电路如下图所示。已知gm=1.65Ms，RG1=RG2=1MΩ，RD=RL=3kΩ，耦合电容Ci=Co=10μ...

问答题

电路如下图所示。已知g_m=1.65Ms，R_G1=R_G2=1MΩ，R_D=R_L=3kΩ，耦合电容C_i=C_o=10μF。试求：
1．电路的中频增益A_U。 
2．估算电路的下限截止频率f_L。 
3．当考虑信号源内阻时，高频增益计算公式。