案例分析题

设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_V（k）分别为：

价带顶电子有效质量

导带底电子有效质量

问答题导带底电子有效质量

已知ND=1.69×1018cm3，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度...

问答题已知N_D=1.69×10¹⁸cm³，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？

在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2×1015cm-3,计算300...

问答题在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2×10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。