多项选择题
A.点缺陷的产生 B.点缺陷分解 C.点缺陷的复合 D.点缺陷的扩散
化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）A.中间化合物的分离提纯B.中间化合物的合成C.中间产物被还原或者是分解成高...
多项选择题化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）
A.中间化合物的分离提纯 B.中间化合物的合成 C.中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅 D.区域提纯
硅烷法的特点是（）A.不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅B.硅烷气体易于用吸附法提纯C.易于分解为非晶硅D...
多项选择题硅烷法的特点是（）
A.不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅B.硅烷气体易于用吸附法提纯C.易于分解为非晶硅D.硅烷易爆炸
关于SiO说法正确的是（）A.SiO很容易发生化学反应B.温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到C.能...
多项选择题关于SiO说法正确的是（）
A.SiO很容易发生化学反应B.温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到C.能在1500℃与C发生反应D.能与氧气发生反应
