单项选择题
A.In（Wm=3.8eV） B.Cr（Wm=4.6eV） C.Au（Wm=4.8eV） D.Al（Wm=4.2eV）
金属-SiO2-p型Si构成的MIS结构中，SiO2中分布的可动正电荷不会影响（）。A.半导体表面势B.平带电...
单项选择题金属-SiO2-p型Si构成的MIS结构中，SiO2中分布的可动正电荷不会影响（）。
A.半导体表面势 B.平带电压 C.平带电容 D.器件的稳定性
GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，（）A.载流子发生能谷间散射B.载流子迁移率增大C.载流子...
单项选择题GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，（）
A.载流子发生能谷间散射 B.载流子迁移率增大 C.载流子寿命变大 D.载流子浓度变小
若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是（）A.本征半导体B.杂质半导体C.金属导体D.简并半导体
单项选择题若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是（）
A.本征半导体B.杂质半导体C.金属导体D.简并半导体
