单项选择题

单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV，等效状态密度N=1.0×10¹⁹/cm³，求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。

A.1.34×10⁹/cm³
B.6.7×10⁸/cm³
C.2.2×10⁹/cm³
D.1.1×10⁹/cm³

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单项选择题已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10^-8cm，固有振动频率为10¹²Hz，晶格势能垒为0.5eV，求300K时的离子迁移率为（）。

A.1.24×10^-10cm²/s·V
B.6.19×10^-11cm²/s·V
C.9.14×10^-10cm²/s·V
D.4.57×10^-10cm²/s·V

下图属于四价原子二维正方格子的近自由电子费密面的是（）。A.AB.BC.CD.D

单项选择题

下图属于四价原子二维正方格子的近自由电子费密面的是（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

以四价原子、二维正方空晶格为例计算自由电子的费密波矢为（）。A.AB.BC.CD.D

单项选择题

以四价原子、二维正方空晶格为例计算自由电子的费密波矢为（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

材料物理综合练习