在LPCVD Si₃N₄制程中，增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。（）

Si3N4可以被用做硅片的钝化保护层，也被用做掩蔽膜，还可应用于电容。（）

判断题Si₃N₄可以被用做硅片的钝化保护层，也被用做掩蔽膜，还可应用于电容。（）

在CVD反应中低压的作用就是使反应物更快地到达衬底表面。（）

判断题在CVD反应中低压的作用就是使反应物更快地到达衬底表面。（）

膜的应力要尽可能小，因为应力会导致衬底发生凸起或凹陷的变形，所有的淀积都会在膜中产生应力。（）

判断题膜的应力要尽可能小，因为应力会导致衬底发生凸起或凹陷的变形，所有的淀积都会在膜中产生应力。（）