PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（）。

利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为（）二极管。请写出这种管子四种主要参数，...

填空题利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为（）二极管。请写出这种管子四种主要参数，分别是（）

在常温下，发光二极管的正向导通电压约（），（）硅二极管的门限电压；考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一...

填空题在常温下，发光二极管的正向导通电压约（），（）硅二极管的门限电压；考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在（）mA。

半导体二极管当正偏时，势垒区（），扩散电流（）漂移电流。

填空题半导体二极管当正偏时，势垒区（），扩散电流（）漂移电流。