问答题
Lightly Doped Drain. LDD是使用较低浓度的源/漏极, 以防止组件产生热载子效应的一项工艺。
源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些?
问答题源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些?
何谓 Gate oxide （栅极氧化层）？
问答题何谓 Gate oxide （栅极氧化层）？
Poly（多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方？
问答题Poly（多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方？
