问答题
1）铜在SiO2中极易扩散，造成对硅器件的沾污：增加SiO2的漏电流；增加结......
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从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和...
问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。
问答题画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
